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Le transistor 2N3055

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    Le transistor 2N3055 est un transistor de puissance en silicium complémentaire conçu pour applications générales de commutation et d’amplification. Ce transistor est fabriqué par le procédé de base épitaxiale, monté dans un boîtier métallique hermétique de type TO3. Le 2N3055 est utilisé dans les alimentations de puissance, amplis audio, commutation …

    Caractéristiques

    Tension de base collecteur VCBO (IE= 0) 100V

    Tension collecteur-émetteur VCER (RBE= 100Ω) 70V

    Tension collecteur-émetteur VCEO (IB= 0) 60V

    Tension de base de l’émetteur VEBO (IC= 0) 7V

    Courant de collecteur IC 15 A

    Courant de base IB 7A

    Dissipation totale à Tc≤25 ° C PTOT 115 W

    Température de stockage Tstg -65 à 200 °C

    Température de jonction de fonctionnement Tj Max. 200 °C

    Brochage

    1 : Base
    2 : Émetteur
    3 : Collecteur

    Image : Wikipedia.org